Número do Produto do Fabricante:
BSC042NE7NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC042NE7NS3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventário:
34469 Pcs Novo Original Em Estoque
12799060
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BSC042NE7NS3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 91µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 37.5 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC042
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC042NE7NS3 GTR-DG
BSC042NE7NS3G
2156-BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1TR
BSC042NE7NS3 GCT-DG
BSC042NE7NS3 G-DG
SP000657440
BSC042NE7NS3 GDKR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3 G
BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC042NE7NS3 GTR
BSC042NE7NS3GATMA1CT
INFINFBSC042NE7NS3GATMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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