Número do Produto do Fabricante:
BSP135H6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP135H6327XTSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventário:
53521 Pcs Novo Original Em Estoque
12799074
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BSP135H6327XTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 94µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
146 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
BSP135
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
BSP135H6327XTSA1CT
BSP135H6327XTSA1DKR
BSP135H6327XTSA1TR
SP001058812
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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