RFP12N06RLE
Número do Produto do Fabricante:

RFP12N06RLE

Product Overview

Fabricante:

Harris Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

RFP12N06RLE-DG

Descrição:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-220

Inventário:

13334 Pcs Novo Original Em Estoque
12935501
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

RFP12N06RLE Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
485 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
49W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2156-RFP12N06RLE
HARHARRFP12N06RLE
Pacote padrão
503

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
nxp-semiconductors

PSMN6R0-25YLD115

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

BSR302KL6327

SMALL SIGNAL MOSFET

renesas-electronics-america

2SK551

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

RFP6P10

P-CHANNEL POWER MOSFET