Número do Produto do Fabricante:
PSMN6R0-25YLD115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN6R0-25YLD115-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 61A (Ta) 43W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventário:
12935504
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PSMN6R0-25YLD115 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
61A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
705 pF @ 12 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
43W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Estojo
SC-100, SOT-669
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PSMN6R0-25YLD115
NEXNXPPSMN6R0-25YLD115
Pacote padrão
1,429
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BSR302KL6327
SMALL SIGNAL MOSFET
2SK551
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFP6P10
P-CHANNEL POWER MOSFET
