Número do Produto do Fabricante:
RFL1N12
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
RFL1N12-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 1A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventário:
845 Pcs Novo Original Em Estoque
12938274
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RFL1N12 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
8.33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-205AF (TO-39)
Pacote / Estojo
TO-205AF Metal Can
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-RFL1N12
HARHARRFL1N12
Pacote padrão
342
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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