Número do Produto do Fabricante:
RF1K49157
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RF1K49157-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
960 Pcs Novo Original Em Estoque
12938278
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RF1K49157 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1575 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-RF1K49157
FAIFSCRF1K49157
Pacote padrão
592
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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