Número do Produto do Fabricante:
RF1S45N02L
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
RF1S45N02L-DG
Descrição:
45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 45A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
999 Pcs Novo Original Em Estoque
12974542
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RF1S45N02L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
HARHARRF1S45N02L
2156-RF1S45N02L
Pacote padrão
533
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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