G3035
Número do Produto do Fabricante:

G3035

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G3035-DG

Descrição:

P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventário:

3079 Pcs Novo Original Em Estoque
12974544
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

G3035 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 15 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-G3035DKR
3141-G3035TR
3141-G3035CT
4822-G3035TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

NVD360N65S3T4G

SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK

onsemi

NVB260N65S3

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO

diotec-semiconductor

DI006P02PW

MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0

infineon-technologies

IPL65R160CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE