Número do Produto do Fabricante:
IRFD112
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFD112-DG
Descrição:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip
Inventário:
1371 Pcs Novo Original Em Estoque
12933649
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IRFD112 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
135 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DIP, Hexdip
Pacote / Estojo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFD112
HARHARIRFD112
Pacote padrão
807
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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