Número do Produto do Fabricante:
IRF711
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF711-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 350 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
6031 Pcs Novo Original Em Estoque
12933670
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF711 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
350 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
135 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
HARHARIRF711
2156-IRF711
Pacote padrão
606
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
HUF76129D3S
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDME0106NZT
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
IRF841
N-CHANNEL POWER MOSFET