Número do Produto do Fabricante:
IRFD110
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFD110-DG
Descrição:
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Inventário:
44368 Pcs Novo Original Em Estoque
12941176
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IRFD110 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / Estojo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número do produto base
IRFD110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFD110
HARHARIRFD110
Pacote padrão
523
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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