Número do Produto do Fabricante:
IRF820
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF820-DG
Descrição:
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
3895 Pcs Novo Original Em Estoque
12941203
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IRF820 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerMESH™ II
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
315 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRF820
HARHARIRF820
Pacote padrão
503
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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