Número do Produto do Fabricante:
GC11N65F
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GC11N65F-DG
Descrição:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
145 Pcs Novo Original Em Estoque
12978211
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GC11N65F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
Cool MOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
901 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
38.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-GC11N65F
3141-GC11N65F
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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