1002
Número do Produto do Fabricante:

1002

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

1002-DG

Descrição:

N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 2A 1.3W Surface Mount SOT-23

Inventário:

2855 Pcs Novo Original Em Estoque
12978215
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

1002 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
387 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)
1.3W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-1002DKR
3141-1002CT
3141-1002TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

G29

P15V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4

goford-semiconductor

G29

MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23

goford-semiconductor

G60N04K

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

goford-semiconductor

G60N04K

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252