Número do Produto do Fabricante:
G100N03D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G100N03D5-DG
Descrição:
N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventário:
4895 Pcs Novo Original Em Estoque
12987514
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
G100N03D5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5595 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (4.9x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G100N03D5TR
4822-G100N03D5TR
3141-G100N03D5CT
3141-G100N03D5DKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MSC040SMA120S/TR
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
IAUA250N04S6N005AUMA1
OPTIMOS POWER MOSFET
G08N06S
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
