Número do Produto do Fabricante:
G08N06S
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G08N06S-DG
Descrição:
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 5A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventário:
7770 Pcs Novo Original Em Estoque
12987540
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ENVIAR
G08N06S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
979 pF @ 30 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G08N06SDKR
4822-G08N06STR
3141-G08N06STR
3141-G08N06SCT
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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