SIHH250N60EF-T1GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIHH250N60EF-T1GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIHH250N60EF-T1GE3-DG

Descrição:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventário:

3050 Pcs Novo Original Em Estoque
12987558
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIHH250N60EF-T1GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
EF
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
915 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 8 x 8
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SIHH250N60EF-T1GE3CT
742-SIHH250N60EF-T1GE3TR
742-SIHH250N60EF-T1GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

18N20

MOSFET N-CH 200V 18A TO-252

diotec-semiconductor

MMFTP2319

MOSFET SOT23 -40V -4.2A 0.08OHM

diotec-semiconductor

DI100N04D1-AQ

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W

nexperia

PMX700ENZ

PMX700ENZ