G29
Número do Produto do Fabricante:

G29

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G29-DG

Descrição:

P15V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.05W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventário:

12864 Pcs Novo Original Em Estoque
12978216
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

G29 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1151 pF @ 10 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.05W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-G29DKR
3141-G29TR
4822-G29TR
3141-G29CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

G29

MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23

goford-semiconductor

G60N04K

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

goford-semiconductor

G60N04K

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252

goford-semiconductor

06N06L

N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M