Número do Produto do Fabricante:
G3R350MT12D
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G3R350MT12D-DG
Descrição:
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
5904 Pcs Novo Original Em Estoque
12978342
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G3R350MT12D Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
G3R™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
2.69V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
334 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
G3R350
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1242-G3R350MT12D
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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