Número do Produto do Fabricante:
G2R1000MT33J
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2R1000MT33J-DG
Descrição:
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventário:
3884 Pcs Novo Original Em Estoque
12977936
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G2R1000MT33J Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
G2R™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
3300 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
238 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
G2R1000
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1242-G2R1000MT33J
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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