Número do Produto do Fabricante:
SCT3120AW7TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT3120AW7TL-DG
Descrição:
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 100W Surface Mount TO-263-7
Inventário:
812 Pcs Novo Original Em Estoque
12977940
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SCT3120AW7TL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 3.33mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
460 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
SCT3120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-SCT3120AW7TLTR
846-SCT3120AW7TLDKR
846-SCT3120AW7TLCT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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