Número do Produto do Fabricante:
IRFS640A
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFS640A-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
2576 Pcs Novo Original Em Estoque
12932212
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRFS640A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
43W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFS640A
FAIFSCIRFS640A
Pacote padrão
606
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDB6021P
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
2SK3326(9)AZ
DISCRETE / POWER MOSFET
IRFU221
N-CHANNEL POWER MOSFET
