FDB6021P
Número do Produto do Fabricante:

FDB6021P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDB6021P-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

12932222
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDB6021P Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1890 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
37W (Tc)
Temperatura de operação
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FDB602

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2114-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET