Número do Produto do Fabricante:
HUF76113T3ST
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76113T3ST-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 4.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventário:
34318 Pcs Novo Original Em Estoque
12933494
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HUF76113T3ST Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
625 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-HUF76113T3ST
HARHARHUF76113T3ST
Pacote padrão
544
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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