Número do Produto do Fabricante:
HUF75925P3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF75925P3-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 11A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
2400 Pcs Novo Original Em Estoque
12933515
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HUF75925P3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UltraFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
275mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1030 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCHUF75925P3
2156-HUF75925P3
Pacote padrão
360
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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