Número do Produto do Fabricante:
HUF75829D3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF75829D3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
4067 Pcs Novo Original Em Estoque
12900511
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HUF75829D3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Tube
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-HUF75829D3-FS
FAIFSCHUF75829D3
Pacote padrão
567
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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