DMN60H4D5SK3-13

Número do Produto do Fabricante:

DMN60H4D5SK3-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN60H4D5SK3-13-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Descrição Detalhada:

N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventário:

RFQ Online

12900593

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DMN60H4D5SK3-13 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

273.5 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

41W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-252 (DPAK)

Pacote / Estojo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número do produto base

DMN60

Informação Adicional

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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