Número do Produto do Fabricante:
FQPF630
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQPF630-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventário:
20715 Pcs Novo Original Em Estoque
12946690
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FQPF630 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQPF630
FAIFSCFQPF630
Pacote padrão
464
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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