Número do Produto do Fabricante:
FDD8782
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD8782-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
157200 Pcs Novo Original Em Estoque
12946700
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDD8782 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1220 pF @ 13 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDD8782
FAIFSCFDD8782
Pacote padrão
588
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQP2N80
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
FQI8N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
