FQI5N60CTU
Número do Produto do Fabricante:

FQI5N60CTU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

FQI5N60CTU-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventário:

34688 Pcs Novo Original Em Estoque
12946771
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FQI5N60CTU Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
FQI5N60CTU Datasheet

Informação Adicional

Outros nomes
2156-FQI5N60CTU
FAIFSCFQI5N60CTU
Pacote padrão
350

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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