FDP16AN08A0
Número do Produto do Fabricante:

FDP16AN08A0

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

FDP16AN08A0-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

3500 Pcs Novo Original Em Estoque
12946787
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDP16AN08A0 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1857 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
135W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
ONSONSFDP16AN08A0
2156-FDP16AN08A0
Pacote padrão
330

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FDPF13N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRFH5250DTRPBF

IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO

international-rectifier

IRF1407PBF

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET