Número do Produto do Fabricante:
FDP16AN08A0
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP16AN08A0-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
3500 Pcs Novo Original Em Estoque
12946787
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FDP16AN08A0 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1857 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
135W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSFDP16AN08A0
2156-FDP16AN08A0
Pacote padrão
330
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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