Número do Produto do Fabricante:
FQI4N80TU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQI4N80TU-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
1550 Pcs Novo Original Em Estoque
12946768
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FQI4N80TU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFQI4N80TU
2156-FQI4N80TU
Pacote padrão
287
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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