FDS6162N7
Número do Produto do Fabricante:

FDS6162N7

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

FDS6162N7-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventário:

15029 Pcs Novo Original Em Estoque
12816873
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDS6162N7 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2156-FDS6162N7-FSTR-DG
FAIFSCFDS6162N7
2156-FDS6162N7
Pacote padrão
150

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FQAF17P10

MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF

fairchild-semiconductor

HUFA76407D3ST

MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

fairchild-semiconductor

NDS8410A

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC

fairchild-semiconductor

FQP17N08

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3