Número do Produto do Fabricante:
HUFA76407D3ST
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HUFA76407D3ST-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
41935 Pcs Novo Original Em Estoque
12816880
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
HUFA76407D3ST Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-HUFA76407D3ST-FSTR-DG
FAIFSCHUFA76407D3ST
2156-HUFA76407D3ST
Pacote padrão
606
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NDS8410A
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
FQP17N08
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
HUF75333S3
MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK