IRLU3636PBF
Número do Produto do Fabricante:

IRLU3636PBF

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

DiGi Electronics Número da Peça:

IRLU3636PBF-DG

Descrição:

IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventário:

533 Pcs Novo Original Em Estoque
12946421
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IRLU3636PBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3779 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
143W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
INFIRFIRLU3636PBF
2156-IRLU3636PBF
Pacote padrão
277

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FDMC7680

MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

international-rectifier

IRF9230

200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA

stmicroelectronics

STE48NM60

MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP

fairchild-semiconductor

FQPF9N25CYDTU

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3