Número do Produto do Fabricante:
FDP39N20
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP39N20-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
500 Pcs Novo Original Em Estoque
12946807
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDP39N20 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UniFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2130 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
251W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSFSCFDP39N20
2156-FDP39N20
Pacote padrão
189
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
