Número do Produto do Fabricante:
FQD1N60CTM
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQD1N60CTM-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
1490 Pcs Novo Original Em Estoque
12946814
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ENVIAR
FQD1N60CTM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFQD1N60CTM
2156-FQD1N60CTM
Pacote padrão
1,110
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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