Número do Produto do Fabricante:
FDC855N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDC855N-DG
Descrição:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventário:
10062 Pcs Novo Original Em Estoque
12946497
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FDC855N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
655 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SuperSOT™-6
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFDC855N
2156-FDC855N
Pacote padrão
1,265
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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