Número do Produto do Fabricante:
FQP3N60C
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQP3N60C-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12946498
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQP3N60C Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
565 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQP3N60C
ONSFSCFQP3N60C
Pacote padrão
467
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
