Número do Produto do Fabricante:
FDB5645
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDB5645-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
7652 Pcs Novo Original Em Estoque
13076008
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FDB5645 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Empacotamento
Bulk
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4468 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFDB5645
2156-FDB5645-FSTR
Pacote padrão
79
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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