Número do Produto do Fabricante:
NP80N04NDG-S18-AY
Product Overview
Fabricante:
NEC Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
NP80N04NDG-S18-AY-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
1400 Pcs Novo Original Em Estoque
13076054
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ENVIAR
NP80N04NDG-S18-AY Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Tube
Série
-
Empacotamento
Tube
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-NP80N04NDG-S18-AY-NEC
RENNECNP80N04NDG-S18-AY
Pacote padrão
151
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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