Número do Produto do Fabricante:
FCU2250N80Z
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FCU2250N80Z-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
94795 Pcs Novo Original Em Estoque
12947154
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FCU2250N80Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
SuperFET® II
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 260µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
585 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCU2250N80Z
FAIFSCFCU2250N80Z
Pacote padrão
385
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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