Número do Produto do Fabricante:
FDB8896
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDB8896-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
15952 Pcs Novo Original Em Estoque
12947158
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FDB8896 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Ta), 93A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2525 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSFSCFDB8896
2156-FDB8896
Pacote padrão
330
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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