Número do Produto do Fabricante:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMWS120H100SM4-DG
Descrição:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
2 Pcs Novo Original Em Estoque
13001177
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DMWS120H100SM4 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+19V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
DMWS120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMWS120H100SM4
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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TRENCH >=100V PG-TO247-3
