Número do Produto do Fabricante:
PJQ1906_R1_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PJQ1906_R1_00001-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1x0.6)
Inventário:
13001216
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PJQ1906_R1_00001 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
45 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-DFN (1x0.6)
Pacote / Estojo
3-UFDFN
Número do produto base
PJQ1906
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3757-PJQ1906_R1_00001TR
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
IXFN120N60X3
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
