Número do Produto do Fabricante:

DMT35M4LPSW-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMT35M4LPSW-13-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 18.9A (Ta), 71.1A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventário:

RFQ Online

13269120

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DMT35M4LPSW-13 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

18.9A (Ta), 71.1A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

16 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1029 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.5W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grau

-

Qualificação

-

Tipo de montagem

Surface Mount, Wettable Flank

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerDI5060-8 (Type UX)

Pacote / Estojo

8-PowerTDFN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

31-DMT35M4LPSW-13TR

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Unaffected

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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