DMN3112SSS-13
Número do Produto do Fabricante:

DMN3112SSS-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN3112SSS-13-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventário:

12891490
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

DMN3112SSS-13 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
268 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
DMN3112

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
DMN3112SSS13
DMN3112SSSDICT
DMN3112SSSDITR
DMN3112SSSDIDKR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

diodes

BSS138W-7

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2035(T5L,F,T)

MOSFET N-CH 20V 100MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH5R906NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP