Número do Produto do Fabricante:
DMJ70H900HJ3
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMJ70H900HJ3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
Inventário:
12888530
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DMJ70H900HJ3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
603 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
DMJ70
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STU7N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3000
NÚMERO DA PEÇA
STU7N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.49
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPSA70R900P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4
NÚMERO DA PEÇA
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.63
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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