Número do Produto do Fabricante:

DMT6009LJ3

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMT6009LJ3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251

Descrição Detalhada:

N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)

Inventário:

RFQ Online

12888550

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DMT6009LJ3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

60 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

74.5A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±16V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1925 pF @ 30 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2.9W (Ta), 83.3W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-251 (Type TH)

Pacote / Estojo

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número do produto base

DMT6009

Informação Adicional

Outros nomes

DMT6009LJ3DI

Pacote padrão

75

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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