Número do Produto do Fabricante:
XP83T03GJB
Product Overview
Fabricante:
YAGEO XSEMI
DiGi Electronics Número da Peça:
XP83T03GJB-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251S
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
13001045
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XP83T03GJB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Tube
Série
XP83T03
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1840 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251S
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
XP83
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
5048-XP83T03GJB
Pacote padrão
80
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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